舊站將于1月11日關(guān)閉，屆時(shí)將無法訪問，請(qǐng)您及時(shí)將舊站信息保存。
確定依托中國(guó)科學(xué)院蘇州納米所組建的半導(dǎo)體顯示材料與芯片重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室2024年獲批成立，聚焦半導(dǎo)體顯示材料缺陷密度高、芯片能效低等基礎(chǔ)科學(xué)問題，開展關(guān)鍵材料、核心器件與集成芯片的創(chuàng)新研究，突破高質(zhì)量材料生長(zhǎng)與高性能芯片制備的關(guān)鍵技術(shù)，集聚一支由戰(zhàn)略科學(xué)家、青年學(xué)術(shù)帶頭人等組成的科技創(chuàng)新隊(duì)伍，目標(biāo)產(chǎn)出一批原創(chuàng)性科技成果，推動(dòng)科技成果的轉(zhuǎn)移轉(zhuǎn)化，著力建設(shè)成半導(dǎo)體顯示材料與芯片領(lǐng)域創(chuàng)新高地。
一、重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室的主要研究方向
1.?高質(zhì)量半導(dǎo)體光電材料
?。℅aN等III族氮化物半導(dǎo)體材料、GaAs等III-V族化合物半導(dǎo)體材料外延生長(zhǎng)與測(cè)試表征）
2.?高能效紅綠藍(lán)微納光電器件
?。℅aN基、GaAs基化合物半導(dǎo)體光電器件制備，以及器件結(jié)溫與熱阻測(cè)試表征和散熱研究）
3.?半導(dǎo)體顯示多維度調(diào)制器件
（數(shù)字微鏡器件DMD、MEMS微振鏡、超表面光場(chǎng)調(diào)控、微納光柵、光波導(dǎo)、驅(qū)動(dòng)調(diào)制器件）
4.?高性能半導(dǎo)體顯示集成芯片
?。す怙@示、Micro-LED大屏顯示及XR微顯示、全息顯示、透明/柔性顯示等新型顯示驅(qū)動(dòng)芯片及其集成微系統(tǒng)）
二、招聘研究崗位
招聘崗位的研究方向：
III族氮化物半導(dǎo)體外延材料生長(zhǎng)及表征
Micro-LED器件制備
半導(dǎo)體（邊發(fā)射、面發(fā)射）激光器制備
半導(dǎo)體光電器件的熱管理
半導(dǎo)體激光器可靠性及失效分析
超表面與微納光柵
AR光波導(dǎo)
微納光學(xué)仿真
半導(dǎo)體顯示驅(qū)動(dòng)與集成技術(shù)
AI與半導(dǎo)體顯示融合
崗位1：副高及以上人才8-10人
根據(jù)研究所“高層次人才招聘啟事”，招聘電子信息領(lǐng)域的高層次研究人員，具體各級(jí)人才政策詳見研究所“高層次人才招聘啟事”（請(qǐng)點(diǎn)擊鏈接查看）。
1．崗位要求：
1)?理學(xué)或工學(xué)博士畢業(yè)，具有電子信息、物理、光學(xué)、材料等相關(guān)專業(yè)背景；
2)?在國(guó)內(nèi)外著名高校、研究機(jī)構(gòu)有2年及以上的工作經(jīng)歷，有主持科研項(xiàng)目經(jīng)驗(yàn)者優(yōu)先；
3)?負(fù)責(zé)圍繞重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室主攻方向開展有組織的基礎(chǔ)研究，組織推進(jìn)科研項(xiàng)目實(shí)施，并做出重要成果；
4)?具有獨(dú)立承擔(dān)科研工作的能力，具有較好的英文閱讀、寫作能力，在本領(lǐng)域知名國(guó)際刊物上發(fā)表過學(xué)術(shù)論文；
5)?具有較好的學(xué)習(xí)能力和團(tuán)隊(duì)合作精神，具有較強(qiáng)的溝通協(xié)調(diào)和組織能力。
崗位2：博士后（特別研究助理）人才10-15名
1．崗位要求：
1)?申請(qǐng)人獲得博士學(xué)位3年以內(nèi)，具有電子信息、物理、光學(xué)、材料等相關(guān)專業(yè)背景，年齡一般不超過35周歲；
2)?能夠圍繞重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室主攻方向開展有組織的基礎(chǔ)研究，能夠獨(dú)立從事相關(guān)科研實(shí)驗(yàn)；
3)?具有良好的英文閱讀、寫作能力；
4)?具有良好的學(xué)術(shù)道德，嚴(yán)謹(jǐn)?shù)目蒲凶黠L(fēng)和科學(xué)、求實(shí)、團(tuán)結(jié)、協(xié)作的精神。
2．固定薪酬：
博士后在站期間，固定薪酬28萬起，特別優(yōu)秀者固定薪酬58萬起，另加獎(jiǎng)勵(lì)績(jī)效。
3．可爭(zhēng)取的個(gè)人補(bǔ)貼：?
1)?入選江蘇省卓越博士后計(jì)劃，可獲得50萬元/30萬元/20萬元人才津貼。
2)?入選博新計(jì)劃，可獲得32萬元生活補(bǔ)貼。
3)?入選中國(guó)科學(xué)院特別研究助理資助項(xiàng)目或研究所“優(yōu)秀博士后計(jì)劃”，可獲得12萬元人才津貼。
4)?獲得中國(guó)博士后科學(xué)基金面上資助和特別資助（項(xiàng)目經(jīng)費(fèi)8-18萬元），分別給予2萬元、5萬元補(bǔ)貼。
4．待遇福利：
在站期間可參加副高級(jí)崗位晉升，通過評(píng)審可聘為副高級(jí)崗位（入編）；可申請(qǐng)各類科研項(xiàng)目；可獲得公派出國(guó)深造的機(jī)會(huì)；同時(shí)享有人才優(yōu)購（公積金貸款2-3倍）、協(xié)助子女入學(xué)等待遇；出站留蘇30萬元安家補(bǔ)貼。
三、招聘支撐崗位
崗位1：化合物半導(dǎo)體材料外延生長(zhǎng)與測(cè)試表征工程師1-2名
崗位2：Micro-LED光電測(cè)試表征工程師1-2名
崗位3：半導(dǎo)體激光器結(jié)溫與熱阻測(cè)試表征工程師1-2名
崗位4：半導(dǎo)體激光器壽命測(cè)試與失效分析工程師1-2名
1．崗位要求：
1)?具有碩士學(xué)歷，或者具有本科學(xué)歷及4年以上半導(dǎo)體相關(guān)領(lǐng)域的工作經(jīng)歷；年齡一般不超過35周歲；
2)?具有半導(dǎo)體相關(guān)領(lǐng)域的研究或技術(shù)經(jīng)驗(yàn)，和相應(yīng)崗位所需的技術(shù)能力；
3)?具有較強(qiáng)的團(tuán)隊(duì)合作意識(shí)、責(zé)任心和獨(dú)立開展工作的能力；
4)?具有扎實(shí)的專業(yè)基礎(chǔ)知識(shí)和實(shí)驗(yàn)技能，良好的英語讀寫能力；
5)?動(dòng)手能力強(qiáng)，認(rèn)真細(xì)心，踏實(shí)肯干，善于溝通。
2．薪酬待遇：
1)?薪資：中國(guó)科學(xué)院蘇州納米所為國(guó)家級(jí)事業(yè)單位，根據(jù)崗位職級(jí)提供有競(jìng)爭(zhēng)力的薪酬待遇（工資+績(jī)效獎(jiǎng)勵(lì)）。
2)?福利：享受五險(xiǎn)一金（含公積金）、午餐補(bǔ)貼、工會(huì)福利、職工體檢等。
四、應(yīng)聘方式
請(qǐng)應(yīng)聘者將個(gè)人簡(jiǎn)歷及相關(guān)證明材料通過郵件，以“重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室+崗位+姓名”為主題發(fā)送至郵箱：xren2011@sinano.ac.cn。我們將以郵件或電話的方式通知通過初選的應(yīng)聘者參加線上面試和現(xiàn)場(chǎng)面試。聯(lián)系人：任老師，聯(lián)系電話：0512-62872758。
【本招聘信息長(zhǎng)期有效】。
原始標(biāo)題：半導(dǎo)體顯示材料與芯片重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室2025年招聘啟事
信息來源：http://sinano.cas.cn/rczp/kyzp/202502/t20250217_7528002.html
